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aln烧结设备
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氮化铝陶瓷烧结解决方案
2019年12月3日 — 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性。2021年5月27日 — 要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。 常见的烧结 氮化铝（AlN）陶瓷常见的烧结方法概述材料2024年4月12日 — 基于此，开发了高温烧结设备，进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验，分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线上 2024年3月12日 — 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛 氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，是高密度、大功率和高速集 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛
高热导电绝缘氮化铝陶瓷在宇航器件中的应用：概述
2022年6月7日 — 摘 要： 氮化铝 (AlN)陶瓷具有高热导、高电阻、低介电损耗、低膨胀以及良好的力学性能等特性，可用作高性能导热基板和陶瓷封装材料。 本工作评述了 AlN 粉体及陶瓷的制备技术、性能特性及宇航应用 氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末 无压烧结氮化铝陶瓷 英诺华 INNOVACERA2023年3月31日 — AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧结。 其中热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎2021年4月20日 — AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。 主要从烧结技术和烧结助剂对AlN AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
无压烧结AlN(Y2O3)陶瓷热导率的温度关系 真空技
2014年11月13日 — 本实验采用无压烧结技术，以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷。闪光法测试AlN陶瓷在室温到300℃的温度关系。结果表明：在25～300℃，AlN陶瓷热导率随温度升高而降低；热导率较高的AlN试样 1 天前 — 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等 Aluminum nitride (AlN) ceramics have excellent thermal 氮化铝陶瓷的制备及研究进展 汉斯出版社2024年9月6日 — iTops PVD AlN 溅射系统主要用于2、4、6英寸AlN沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备，配备传输腔室和冷却腔室。AlN设备具有占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、耗材便宜等优势；具备与国际 PVD AlN 溅射系统 产品管理 北方华创2021年10月23日 — 缺点：不能压制复杂几何形状的坯体；需严格控制压力大小，过大或过小均不利于得到高致密度AlN陶瓷烧结件。 干压成型设备及厂家 干压成型设备实景图(图片来源：天通吉成机器技术有限公司) 相关厂家： 德国Dorst、SMS Meer、Komage、Schuler一文了解氮化铝陶瓷成型工艺、设备及厂家中粉先进陶瓷
AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
2021年4月20日 — AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展[J] 耐火材料, 2022, 56(2): 180184 Wang Lulu, Ma Beiyue, Liu Chunming, Deng Chengji, Yu Jingkun Research progress on sintering technology and performance optimization of AlN 2021年9月2日 — 纳米AlN粉末由于其具有高的表面能从而具有高的烧结活性，同时能够制备出具有细晶粒组织的AlN陶瓷，根据霍尔佩奇公式：σ=σ0+ kd?1/2,材料的力学性能与晶粒尺寸有着密切的关系，拥有细小晶粒组织的高强度AlN基板能抵挡高温度差以及热冲击下产生热应 北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展2023年11月30日 — 一般是通过通孔金属化涂覆设备使得厚膜金属化浆料通过陶瓷基板的通孔，使得孔壁的内壁表面均匀的涂覆一层金属化浆料或者孔内填满金属化浆料。 通孔填充是HTCC技术的关键工艺之一，在填孔工序中，要确保通孔互连导通率达到100%。一文了解HTCC陶瓷金属化工艺及相关设备厂商 艾邦半导体网2021年1月16日 — 添加大量的烧结助剂一方面能够降低烧结温度，但引入的晶界相的热导率大大低于AlN主晶相，会导致烧结体热导率的下降，因此应合理控制烧结助剂的添加量。烧结工艺与设备 AlN陶瓷烧结工艺主要有：常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。三管齐下，氮化铝陶瓷“低温烧结”妥妥的！
氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎
2023年3月31日 — 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温 采用纯纳米AlN粉和掺杂质量分数3%Y 2 O 3 的纳米AlN粉为原料，经放电等离子烧结工艺制备AlN陶瓷，研究了两类AlN陶瓷的相对密度、微观组织、力学性能和导热性能。结果表明：纯纳米AlN粉和掺杂Y 2 O 3 纳米 放电等离子烧结制备细晶AlN陶瓷 USTB例如，常规碳热还原氮化法制备的AlN粉体通过等离子活化烧结（PAS）工艺在1500℃就能够得到致密度为324gcm3的AlN陶瓷，且具有较高的热导率（69Wm1K1）；而前驱体碳热还原氮化法制备的AlN粉体通过PAS烧结，在1450℃就能够得到致密度为327g 碳热还原氮化法制备AlN粉体及其烧结性能研究 Details 氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用，目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期，对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料，其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理 氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
【原创】 氮化铝陶瓷烧结技术大揭秘 中国粉体网
2021年9月7日 — 不添加任何烧结助剂的微波烧结法被认为是一条获得AlN透明陶瓷非常有前途的低成本化技术途径，但是受微波烧结设备的限制，通常很难获得较低的烧结温度，因此，有必要开展微波低温烧结工艺制备AlN透 2022年6月17日 — 二、DBC 工艺的原理 DBC陶瓷基板是一种通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结 图 2 AlN 陶瓷基板敷铜板工艺 三、DBC 陶瓷基板的性能 DBC 陶瓷基板具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性，又兼具无氧铜的高导电性和优异 什么是直接覆铜（DBC）陶瓷基板？附国内厂商名单氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概 述 氮化铝（AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微 观组织如图 1 所示。室温强度高、热膨胀系数小、抗熔融金属侵蚀的能力 强、介电性能良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内 外的普 【精品文章】氮化铝 (AlN)陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述摘要： AlN(氮化铝)陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料,耐热材料等多个领域都有广泛的应用市场上多用常压烧结工艺来制备AlN陶瓷,但是该烧结工艺制备出的AlN陶瓷性能不佳,若想制备出热导率较高的烧结体则需要很高的烧结温度和较长的保温时间,就会 AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 百度学术
高热导电绝缘氮化铝陶瓷在宇航器件中的应用：概述、挑战和
2022年6月7日 — AlN 陶瓷的烧结 方法主要有热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结等方法 另一种常见的快速烧结方法是放电等离子烧结。由于普通的烧结设备升温速率较慢，无法快速烧结使陶瓷达到致密化。在烧结炉中将材料快速移动可以达到快速 2020年12月19日 — 钧杰陶瓷 1、常压烧结 这种烧结方法是AlN陶瓷传统的制备工艺。它主要是在常压烧结过程中，坯体不受外加压力的作用，仅在一般气压下经加热由粉末颗粒的聚集体转变为晶粒结合体，常压烧结工艺是加工烧结工艺中最简单的一种、也是使用较为广泛的一种烧 氮化铝陶瓷是任何烧结出来的 知乎用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件 活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。MARUWA氮化铝（AlN）产品 寻找产品 MARUWA CO, LTD为了满足氮化铝陶瓷的烧结要求，本文提出了一种高温烧结设备的设计方案，并进行了验证。该设计采用可拆卸式炉门结构，可根据实际需求来进行调节尺寸大小，并可根据用户需要实现自动化控制。一、相关技术和设备 11 高温烧结工艺简介 111 高温烧结原理用于氮化铝陶瓷高温烧结设备的设计与验证
不可不知！先进陶瓷热压烧结技术及装备大揭秘 中
2020年4月14日 — 热压烧结设备 热压烧结 工艺需要专用的热压烧结炉，常用的热压烧结炉主要由加热炉、加压装置、模具和测量测压装置组成。热压烧结炉的工作原理是：将混合粉料装入石墨模具中，通过石墨加热片加热 2024年2月20日 — MIMTi注射成形烧结 技术工艺设计 MIMTi注射成形不同烧结设备选择 嘉宾简介 长期从事粉末冶金CIM陶瓷氧化物（ZrO2、Al2O3、BeO）、氮化物（AlN、GaN）、碳化物（SiC）和MIM金属铁基（Fe2Ni、Fe8Ni）、不锈钢（316、304 MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺自主设计核心生产设备，高温真空烧结 炉。核心知识产权自有化，从设备到工艺流程完全自主掌握，配合密不可分 使用碳还原法自主研发生产高纯AlN 粉体。 掌握原材料核心制备技术，从源头杜绝“卡脖子”问题。 技术工 成都旭瓷新材料有限公司氮化铝,氮化铝粉体,氮化铝 2023年2月7日 — 检测样品： 氮化铝陶瓷 检测项目： 氮化铝陶瓷烧结 方案概述： 氮化铝（AlN）陶瓷基片是一种新型的基片材料，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，后还要确保 氮化铝陶瓷烧结解决方案化工仪器网
SiCAlN复相陶瓷材料的无压烧结和导热性能 真空技术网
2014年11月8日 — 采用无压烧结工艺制备了SiCAlN复相陶瓷材料，采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜和激光导热仪对材料的晶相、微结构和导热性能进行了综合研究。实验发现，烧结体的密度和AlN的添加量有关。在AlN添加量低于10%(质量比)时，烧结体的相对密度随着AlN 2021年7月28日 — 2O 为复合烧结助剂，将AlN 粉末通过冷等静 压在200 MPa 下压制60 s 成型烧结制备得到了较高热导率的AlN 陶瓷。 等静压成型可以生产具有复杂形状的AlN 陶瓷，制备出的坯体密度高且均匀。但由于生产成本较高、生产效率较低，等静压成型在工业生产中的 氮化铝陶瓷的制备及研究进展 hanspub摘要 通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。 结果表明:原位生成烧结助剂的方式更有利于AlN陶瓷的致密化,特别是当原位生展开更多 A1N ceramics were fabricated by hotpressing with Y203 as sintering additive 烧结助剂添加方式对AlN陶瓷力学性能的影响 维普期刊官网2021年1月16日 — 烧结工艺与设备 AlN 陶瓷烧结工艺主要有：常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。常压烧结 常压烧结是一种烧结过程不施加任何额外压力的烧结方法，分为固相烧结和液相烧结，AlN陶瓷单纯的固相烧结难以烧结致密，一般选用液相 三管齐下，氮化铝陶瓷“低温烧结”妥妥的！技术资讯中国粉体网
无压烧结氮化铝陶瓷 英诺华 INNOVACERA
氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末制备：步是制备氮化铝粉末。 粉末应具有所需的成分和粒度分布。 通常使用高纯度 AlN 粉末来确保最终产品的质量。2024年2月20日 — MIMTi注射成形不同烧结设备 选择 嘉宾简介 长期从事粉末冶金CIM陶瓷氧化物（ZrO2、Al2O3、BeO）、氮化物（AlN、GaN）、碳化物（SiC）和MIM金属铁基（Fe2Ni、Fe8Ni）、不锈钢（316、304、174PH、420、440C）、软磁材料（FeSi3）、可 MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺科技中国行业2019年12月3日 — 然而,由于AlN是以共价键结合为主的化合物,自扩散系数小, 难以烧结致密，所以AlN的烧结工艺是基片材料制作过程中的一处难点。 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性。氮化铝陶瓷烧结解决方案 粉体网氮化铝陶瓷烧结炉温度均匀性对烧结产品质量影响的研究[J]电子工业专用设备,2010,39(6):3436 被引量：2 8 牛锛,赵新亮,王孙昊,李保平,王介强烧结助剂对AlN陶瓷制备及性能的影响[J]硅酸盐学报 9不同烧结气氛下制备的AlN陶瓷结构和电性能的差异【维普
氮化铝行业研究：AlN应用性能出众，国产替代机遇
2023年4月3日 — 3AlN 产业链需求旺盛，上下游一体化企业优势显著 按 AlN 的主要制备与应用划分产业链，我们认为主要可以分为上游粉体制备， 中游基板制备，下游市场应用（金属化）。31氮化铝粉体至关重要，国内或 2024年3月12日 — 烧结气氛 目前，AlN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO，弱还原性气氛则使用H2。在还原气氛中，AlN陶瓷的烧结时间及保温时间不宜过长，且其烧结温度不能过高，以免AlN被还原。而在氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛烧结之后含有其它物质的 AlN 颗 粒尺寸比纯 AlN 烧结后的尺寸小。 AlN 掺入适当氧化钇， 2223K 如 在 烧结 3h 相对理论密度为 97%，颗粒尺寸为 3μm。采用微波烧结掺入 氧化钇的 AlN，又进一步缩短了烧结时间(小于 75 min)和减少了颗 等离子体活化烧结技术等离子体活化烧结技术 百度文库2023年4月3日 — 在线式银烧结设备 2银烧结技术原理 银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在300℃以下进行烧结，通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒，根据状态不同，烧结材料一般为银浆（银膏）、银膜，对应的工艺也不同：为什么银烧结技术这么火，看这一篇文章就够了！ 百家号
MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺 知乎
2024年2月20日 — 演讲嘉宾 张泽兵富士康科技集团 特聘技术顾问 演讲主题 MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺 MIMTi注射成形纯钛（TA1TA4）及钛合金（TC4）粉末制备 MIMTi注射成形钛及钛合金粘结剂配方与脱脂体系 MIMT2019年12月3日 — 然而,由于AlN是以共价键结合为主的化合物,自扩散系数小, 难以烧结致密，所以AlN的烧结工艺是基片材料制作过程中的一处难点。 氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性。氮化铝陶瓷烧结解决方案2023年5月20日 — 散热器、加热器、高功率器件、OLED和金属冶炼、热分析仪器、研磨设备、传感器、烧结炉设备 、金属化陶瓷等。无论是氮化铝陶瓷基板，还是精密陶瓷，在国内都还属于尚处于技术与市场发展初期的新产业，行业技术壁垒高，长期以来受国外 氮化铝陶瓷零部件应用于半导体设备的核心 知乎2014年11月13日 — 本实验采用无压烧结技术，以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷。闪光法测试AlN陶瓷在室温到300℃的温度关系。结果表明：在25～300℃，AlN陶瓷热导率随温度升高而降低；热导率较高的AlN试样 无压烧结AlN(Y2O3)陶瓷热导率的温度关系 真空技
氮化铝陶瓷的制备及研究进展 汉斯出版社
1 天前 — 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等 Aluminum nitride (AlN) ceramics have excellent thermal 2024年9月6日 — iTops PVD AlN 溅射系统主要用于2、4、6英寸AlN沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备，配备传输腔室和冷却腔室。AlN设备具有占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、耗材便宜等优势；具备与国际 PVD AlN 溅射系统 产品管理 北方华创2021年10月23日 — 缺点：不能压制复杂几何形状的坯体；需严格控制压力大小，过大或过小均不利于得到高致密度AlN陶瓷烧结件。 干压成型设备及厂家 干压成型设备实景图(图片来源：天通吉成机器技术有限公司) 相关厂家： 德国Dorst、SMS Meer、Komage、Schuler一文了解氮化铝陶瓷成型工艺、设备及厂家中粉先进陶瓷 2021年4月20日 — 摘要： 微电子技术的飞速发展对芯片基板和封装材料性能的要求越来越高。AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展
2021年9月2日 — 纳米AlN粉末由于其具有高的表面能从而具有高的烧结活性，同时能够制备出具有细晶粒组织的AlN陶瓷，根据霍尔佩奇公式：σ=σ0+ kd?1/2,材料的力学性能与晶粒尺寸有着密切的关系，拥有细小晶粒组织的高强度AlN基板能抵挡高温度差以及热冲击下产生热应 2023年11月30日 — 一般是通过通孔金属化涂覆设备使得厚膜金属化浆料通过陶瓷基板的通孔，使得孔壁的内壁表面均匀的涂覆一层金属化浆料或者孔内填满金属化浆料。 通孔填充是HTCC技术的关键工艺之一，在填孔工序中，要确保通孔互连导通率达到100%。一文了解HTCC陶瓷金属化工艺及相关设备厂商 艾邦半导体网2021年1月16日 — 添加大量的烧结助剂一方面能够降低烧结温度，但引入的晶界相的热导率大大低于AlN主晶相，会导致烧结体热导率的下降，因此应合理控制烧结助剂的添加量。烧结工艺与设备 AlN陶瓷烧结工艺主要有：常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。三管齐下，氮化铝陶瓷“低温烧结”妥妥的！ 2023年3月31日 — 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结，但仍需要1800℃以上的烧结温 氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎
放电等离子烧结制备细晶AlN陶瓷 USTB
摘要: 采用纯纳米AlN粉和掺杂质量分数3%Y 2 O 3 的纳米AlN粉为原料，经放电等离子烧结工艺制备AlN陶瓷，研究了两类AlN陶瓷的相对密度、微观组织、力学性能和导热性能。 结果表明：纯纳米AlN粉和掺杂Y 2 O 3 纳米AlN粉在40～60 MPa下，经1500 ℃放电等离子烧结5～60 min，均可获得相对密度＞99%的AlN陶瓷。