当前位置：首页 > 产品中心
三氯氢硅粉碎平台
三氯氢硅粉碎平台
三氯氢硅合成及后处理单元工艺优化研究 百度学术
3SiHCl是重要的硅基单体原料,广泛应用于电子基板,光伏电池板原材及有机硅生产领域目前最常用的3SiHCl生产技术是直接氯化法(或称硅氢氯化法),利用Si与HCl在适宜的条件下反应 所谓西门子法，也被称作三氯氢硅氢还原法，是一种在还原炉内通过发生化学反应来生成多晶硅的方法。 三氯氢硅的合成步骤为采用工业硅粉粉碎至80～120目后用蒸汽干燥，经硅 硅粉回收除尘装置海韵环境三氯氢硅是制造有机硅烷偶联剂中最基本的单体,同时也是制备多晶硅的主要原料近年来随着三氯氢硅的用途逐渐拓宽,需求量大幅增加与国外先进的工艺技术相比,国内三氯氢硅生产 三氯氢硅合成工艺的优化研究 百度学术2023年1月24日 — 三氯氢硅（HSiCl3）是一种用途非常广泛的有机硅单体，是生产半导体硅、单晶硅和多晶硅的重要原料，亦是合成有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷最 多晶硅三氯氢硅生产工艺流程合成氯化氢反应
多晶硅生产工艺流程 长江有色金属网
2022年4月1日 — 把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应 1979年8月21日 — 摘要 本三氯氢硅工业生产装置采用硅粉与氯化氢气体直接反应的常压沸腾床工艺。 介绍了整个生产工艺流程;分析生产过程中的主要危险因素,提出避免危险因素出现 三氯氢硅生产装置设计及优化措施 维普期刊官网三氯氢硅制备工艺的改进 认领 Improvement of trichlorosilane preparation process 在线阅读 下载PDF 引用 收藏 分享 摘要 针对西门子法三氯氢硅工艺存在的问题进行了技术改造, 三氯氢硅制备工艺的改进【维普期刊官网】 中文期刊服务平台2012年8月10日 — 摘要： 本发明公开了一种三氯氢硅合成系统,包括三氯氢硅合成装置和尾气处理设备,所述尾气处理设备将来自所述三氯氢硅合成装置的合成尾气进行尾气处理,所述 一种三氯氢硅合成系统 百度学术
三氯氢硅制备工艺介绍 专业内容知识聚合服务平台
从工艺流程、工艺特点、核心设备结构等方面介绍了国内两种生产多晶硅所需的三氯氢硅制备工艺:改良西门子法和氯氢化法前者以硅粉和氯化氢为原料制备三氯氢硅,其原料来源广、 2024年1月2日 — 2 助剂：三氯氢硅可用于聚硅氧烷等高分子化合物的合成。 3 表面处理剂：三氯氢硅可用作玻璃表面的处理剂，增加润湿性。 4 硅橡胶的交联剂：三氯氢硅可以与硅橡胶发生交联反应，使其具有更好的弹性和耐热性。 制法： 1 单质法：通过将硅与氯气在高 三氯氢硅化工百科 ChemBK2024年7月10日 — 中国光伏级三氯氢硅行业的发展历程可分为五个阶段：2000年前，中国逐渐开始意识到太阳能产业的潜力，但是国内光伏产业处于起步阶段，对进口依赖较大；随着中国政府对可再生能源的重视，光伏产业开始蓬勃发展，国内生产光伏级三氯氢硅的企业开始涌现。中国光伏级三氯氢硅行业产业链全景图谱、领先企业分析及 摘要 针对西门子法三氯氢硅工艺存在的问题进行了技术改造,并对改造前后的工艺进行了对比。 Technological transformations were performed to solve the problems existing in Siemens process for trichlorosilane production The process before and after transformation三氯氢硅制备工艺的改进【维普期刊官网】 中文期刊服务平台
三氯氢硅 科普中国网
2024年3月4日 — ⑵三氯氢硅的储存。三氯氢硅的沸点较低，需在低温下储存，三氯氢硅的贮罐设置低温保护装置和降温措施。由于三氯氢硅有潜在的燃烧爆炸危险，所以它的贮罐应与生产装置要有一定的防火间距，并且要设防火堤，降温水的排放管道经过防火堤处要设闸阀。2011年6月28日 — 1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑ （2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。 其化学反 多晶硅生产工艺流程 百度知道利用水平热壁CVD系统,分别采用三氯氢硅 (TCS)和乙烯作为硅源和碳源,在10mm×10mm 的n型偏晶向4HSiC衬底上进行了外延生长实验在1600°C,TCS流量为12sccm,碳硅比为042的生长条件下得到了高质量的同质外延层,其10μm×10μm 区域内表面粗糙度为0 利用三氯氢硅(TCS)作为硅源在4HSiC上外延生长的研究2022年7月7日 — 在主流的改良西门子法中，首先利 用金属硅粉（80~120 目）与氯化氢气体合成三氯氢硅气体（同时伴随副产物四氯化硅的 生成），将三氯氢硅气体精馏提纯后，三氯氢硅将在纯氢气及高温的条件下，在硅芯表面 沉积，从而生成多晶硅。三氯氢硅行业介绍(持续跟踪) 三氯氢硅又称三氯硅烷，是
三氯氢硅尾气处理工艺 百度文库
三氯氢硅尾气处理工艺介绍三氯氢硅尾气处理的工艺和设备。三氯氢硅尾气(流量为3 000 m3/h)处理后排放气体中ρ(HCl)〈01 mg/L 。 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 行业研究 高校与高等教育 2012年8月10日 — 摘要： 本发明公开了一种三氯氢硅合成系统,包括三氯氢硅合成装置和尾气处理设备,所述尾气处理设备将来自所述三氯氢硅合成装置的合成尾气进行尾气处理,所述尾气处理设备包括依次连接的沉降装置,气体过滤装置,冷凝器以及吸附塔,其中,所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯,且所述气体过滤装置用于 一种三氯氢硅合成系统 百度学术摘要： 本发明公开了一种三氯氢硅的提纯方法,包括以下步骤:a)将包含三氯氢硅的原料液送入精馏塔进行精馏,从所述原料液中分离部分杂质,三氯氢硅对于所述部分杂质的相对挥发度为1625;b)将所述精馏塔的塔顶馏分送入第二精馏塔进行精馏,从所述塔顶馏分中分离第二部分杂质,所 一种三氯氢硅的提纯方法和装置 百度学术2013年3月13日 — 收稿日期：2011－06－07。作者简介：蒋广生（1967—），男，江苏六合人，高级工程师，长期从事化工设计工作。三氯氢硅制备工艺介绍蒋广生（中国石化集团南京工程有限公司，江苏南京） 摘要：从工艺流程、工艺特点、核心设备结构等方面介绍了国内两种生产多晶硅所需的三氯氢硅制备工艺 三氯氢硅制备工艺介绍 道客巴巴
三氯氢硅MSDS用途密度三氯氢硅CAS号
2024年1月2日 — 生成的粗三氯氢硅经湿法除尘器、列管冷凝器去蒸馏塔分离四氯化硅，由蒸馏塔出来的三氯氢硅气体经冷凝，制得三氯氢硅成品。 其反应方程式如下： 图XIV13 三氯硅烷的制备装置2024年5月10日 — 三氯氢硅的精馏pdf,三氯氢硅的精馏 在三氯氢硅合成工序生成，经合成气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工 序的原 把工业硅粉碎并用无水氯化 氢HCI与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅SiHCI3 三氯氢硅的精馏pdf 13页 原创力文档5 天之前 — 本标准规定了工业三氯氢硅的分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、标签、包装、运输、贮存。 本标准适用于工业三氯氢硅，该产品主要作为多晶硅和硅烷偶联剂等的原料。工业三氯氢硅, Trichlorosilane for industrial use, 提供GB/T 286542018的 GB/T 286542018 工业三氯氢硅 标准 分析测试百科网2024年6月13日 — 的合成：将工业硅（金属硅）粉碎不无水氯化氢(HCl)在 流化床反应器中反应，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl 3) 。其化学反应 式为： Si+HCl→SiHCl 3 +H 2 ↑ （2）精馏提纯SiHC1 3:步产生的气态混合物迓需要进一步提纯，需要分解过滤硅粉、冷 4第四章三氯氢硅的合成 豆丁网
三氯氢硅合成及后处理单元工艺优化研究 百度学术
摘要： 3SiHCl是重要的硅基单体原料,广泛应用于电子基板,光伏电池板原材及有机硅生产领域目前最常用的3SiHCl生产技术是直接氯化法(或称硅氢氯化法),利用Si与HCl在适宜的条件下反应生成3SiHCl,4SiCl等氯硅烷混合物,反应温度,反应器的压力和压差,Si与HCl的 2024年7月10日 — 摘要：光伏级三氯氢硅主要用于生产多晶硅、硅烷偶联剂，而多晶硅是光伏产品的重要材料，随着光伏产业的发展，多晶硅的需求不断增加。政策频繁出台，支持光伏行业快速发展，随之而来的是光伏级多晶硅产能高速扩张，大幅拉动了光伏级三氯氢硅需求。中国光伏级三氯氢硅行业产业链全景图谱、领先企业分析及 2024年7月10日 — 摘要：光伏级三氯氢硅主要用于生产多晶硅、硅烷偶联剂，而多晶硅是光伏产品的重要材料，随着光伏产业的发展，多晶硅的需求不断增加。政策频繁出台，支持光伏行业快速发展，随之而来的是光伏级多晶硅产能高速扩张，大幅拉动了光伏级三氯氢硅需求。中国光伏级三氯氢硅产业发展现状、市场竞争格局及需求分析 2020年10月14日 — 二、三氯硅烷火灾爆炸事故模式主要分为两类 1三氯硅烷泄漏后与空气中的水分反应生成氢气及氯化氢，导致着火爆炸 2检维护作业过程中，动火作业引起三氯硅烷火灾爆炸 三、三氯硅烷的预防措施 1远离热源、明火。2系统设备设施阀门法兰良好静电接地。危险化学品三氯硅烷是什么？你需要了解这些爆炸火灾氯化
氢氧化钠和三氯氢硅的反应百度文库
氢氧化钠和三氯氢硅 反应产生的硅酸、氯化钠和水在许多领域都有重要的应用。 反应机理 氢氧化钠和三氯氢硅的反应是一个酸碱中和反应。氢氧化钠是一种碱性物质，可以提供氢氧根离子（OH），而三氯氢硅是一种酸性物质，可以提供氢离子（H+）。在 2023年12月18日 — 三氯氢硅又名三氯硅烷，是一种无机化合物。 中商情报网讯：三氯氢硅又名三氯硅烷，是一种无机化合物。依据品质差异，国标将三氯氢硅分为I类、II类，其中I类对三氯氢硅纯度要求更高，尤其限制铝、磷、铁等元素比例，主要用于多晶硅料生产，II类则面向硅烷偶联剂市场。2024年中国三氯氢硅产量预测及行业竞争格局分析（图）2011年12月14日 — 系统的五个输入端口中由两个分别连接氯氢硅或四氯化硅液罐上的气相输入接口和液相输出接口,另外三个和鼓泡器连接 Five input ports in the system are connected chlorine or hydrogen silicon vapor input interface and output interface of the silicon tetrachloride liquid tank on by two, and three, and bubbler connected一种带有氮气保护的三氯氢硅或四氯化硅工艺系统的控制管路 2024年9月14日 — 四川乐山筹建国家硅材料质检中心 四川省乐山市积极筹建国家硅材料质检中心 目前，前期方案已制定完成，受到国家质检总局的重视。按照前期方案，该中心拟建设4000平方米的国内一流硅材料及副产物检测实验室，最终将把中心建成我国在工业硅、有机硅材料、三氯氢硅、四氯化硅、气相白炭黑 GB/T 286542012 工业三氯氢硅 标准 分析测试百科网
年产15000吨/年三氯氢硅项目工艺设计 百度学术
本设计是关于年产15000吨三氯氢硅(SiHCl3)项目的工艺设计首先,论文对三氯氢硅的性质进行了详细的描述,并阐述了制备三氯氢硅的不同工艺方法然后,对三氯氢硅精馏系统进行了简单阐述,并利用Aspen Plus对三氯氢硅精馏系统进行了模拟计算,得到了精馏塔操作2010年9月21日 — 摘要： 本发明属于三氯氢硅的提纯技术领域,特别涉及去除三氯氢硅中硼杂质的方法本发明所要解决的技术问题是提供去除三氯氢硅中硼杂质的方法,该方法步骤简单,易操作,成本较低所述去除三氯氢硅中硼杂质的方法具体为:在三氯氢硅中添加活性炭,混匀,静置,过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅本 去除三氯氢硅中硼杂质的方法 百度学术2014年9月6日 — 目前，国内除江苏中能成功采用氯氢化工艺流程生产多晶硅外，其它多晶硅生产企业基本上均采用热氢化工艺，这两个工艺的区别是前者将三氯氢硅合成与四氯化硅加氢转化成三氯氢硅在一个流化床中完成，工艺装置闭式循环，没有尾气排出;后者三氯氢硅合成 三氯氢硅合成尾气回收方法探讨 豆丁网2023年1月24日 — 硅粉用人工加入硅粉干燥器，用蒸汽加热至一定的温度，然后利用氮气和位差压入硅粉计量罐，最后由硅粉给料机送入三氯氢硅沸腾炉，与通入的氯化氢气体在一定的温度下反应；生成的气体经重力沉降器、布袋过滤器、高沸物去除器、2级冷凝器后得到粗品三氯多晶硅三氯氢硅生产工艺流程合成氯化氢反应
三氯氢硅本征电阻率(纯度)的测试方法 百度学术
三氯氢硅(SiHCl3)作为硅外延片的关键原材料,其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种,除采用化学分析方法测试外,通常用生长不掺杂外延层(本征外延层)的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其针对西门子法三氯氢硅工艺存在的问题进行了技术改造,并对改造前后的工艺进行了对比 关键词： 三氯氢硅、西门子法、工艺、改进 所属期刊栏目： 50 分类号： TQ1272 在线出版日期： （万方平台 三氯氢硅制备工艺的改进 专业内容知识聚合服务平台摘要： 在多晶硅工业中,氯硅烷作为生产多晶硅的重要原料,即使原料中含有痕量的杂质,最终也会影响多晶硅产品的质量杂质主要是金属氯化物,三氯化硼(硼在硅中作为一种正电荷掺杂剂),三氯化砷,三氯化磷(磷在硅中作为一种负电荷掺杂剂)等高纯三氯氢硅的节能高效生产工艺过程研究 百度学术三氯氢硅又称三氯硅烷、硅氯仿，英文名称：trichlorosilane或silicochloroform，分子式为SiHCl3，用于有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成，是有机硅烷偶联剂中最基本的单体，也是生产半导体硅、单晶硅的原料，随着有机硅烷偶联剂工业的发展而三氯氢硅生产知识 百度文库
年产10万吨三氯氢硅项目落户 有机硅化工项目 全球有机硅
全球有机硅网12月5日讯：据了解，河南神马氯碱发展有限责任公司为了改善液氯的销售困局，利用公司闲置土地，建设年产10万吨三氯氢硅项目（一期规模3万吨），项目的实施可降低液氯的储存及道路运输风险且延伸相关产业链。 河南神马氯碱发展有限责任公司年产10万吨三氯氢硅项目（一期）由 三氯硅烷是一种无机化合物，化学式为SiHCl3 。为无色液体，溶于苯、乙醚、庚烷等多数有机溶剂，主要用于制造硅酮化合物 氢键供体数量：0 氢键受体数量：0 可旋转化学键数量：0 互变异构体数量：0 拓扑分子极性表面积：0 重原子数量：4 表面电荷 三氯硅烷 百度百科2024年1月2日 — 2 助剂：三氯氢硅可用于聚硅氧烷等高分子化合物的合成。 3 表面处理剂：三氯氢硅可用作玻璃表面的处理剂，增加润湿性。 4 硅橡胶的交联剂：三氯氢硅可以与硅橡胶发生交联反应，使其具有更好的弹性和耐热性。 制法： 1 单质法：通过将硅与氯气在高 三氯氢硅化工百科 ChemBK2024年7月10日 — 中国光伏级三氯氢硅行业的发展历程可分为五个阶段：2000年前，中国逐渐开始意识到太阳能产业的潜力，但是国内光伏产业处于起步阶段，对进口依赖较大；随着中国政府对可再生能源的重视，光伏产业开始蓬勃发展，国内生产光伏级三氯氢硅的企业开始涌现。中国光伏级三氯氢硅行业产业链全景图谱、领先企业分析及
三氯氢硅制备工艺的改进【维普期刊官网】 中文期刊服务平台
维普中文期刊服务平台，是重庆维普资讯有限公司标准化产品之一，本平台以《中文科技期刊数据库》为数据基础，通过对国内出版发行的15000余种科技期刊、7000万篇期刊全文进行内容组织和引文分析，为高校图书馆、情报所、科研机构及企业用户提供一站式文献服务。2024年3月4日 — ⑵三氯氢硅的储存。三氯氢硅的沸点较低，需在低温下储存，三氯氢硅的贮罐设置低温保护装置和降温措施。由于三氯氢硅有潜在的燃烧爆炸危险，所以它的贮罐应与生产装置要有一定的防火间距，并且要设防火堤，降温水的排放管道经过防火堤处要设闸阀。三氯氢硅 科普中国网2011年6月28日 — 多晶硅生产工艺流程多晶硅生产工艺流程如下：1、石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO+C→Si+CO↑。2、为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在多晶硅生产工艺流程 百度知道摘要： 利用水平热壁CVD系统,分别采用三氯氢硅(TCS)和乙烯作为硅源和碳源,在10mm×10mm 的n型偏晶向4HSiC衬底上进行了外延生长实验在1600°C,TCS流量为12sccm,碳硅比为042的生长条件下得到了高质量的同质外延层,其10μm×10μm 区域内表面粗 利用三氯氢硅(TCS)作为硅源在4HSiC上外延生长的研究
三氯氢硅行业介绍(持续跟踪) 三氯氢硅又称三氯硅烷，是
2022年7月7日 — 在主流的改良西门子法中，首先利 用金属硅粉（80~120 目）与氯化氢气体合成三氯氢硅气体（同时伴随副产物四氯化硅的 生成），将三氯氢硅气体精馏提纯后，三氯氢硅将在纯氢气及高温的条件下，在硅芯表面 沉积，从而生成多晶硅。三氯氢硅尾气处理工艺介绍三氯氢硅尾气处理的工艺和设备。三氯氢硅尾气(流量为3 000 m3/h)处理后排放气体中ρ(HCl)〈01 mg/L 。 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 行业研究 高校与高等教育 三氯氢硅尾气处理工艺 百度文库2012年8月10日 — 摘要： 本发明公开了一种三氯氢硅合成系统,包括三氯氢硅合成装置和尾气处理设备,所述尾气处理设备将来自所述三氯氢硅合成装置的合成尾气进行尾气处理,所述尾气处理设备包括依次连接的沉降装置,气体过滤装置,冷凝器以及吸附塔,其中,所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯,且所述气体过滤装置用于 一种三氯氢硅合成系统 百度学术